傳三星擬放慢明年記憶體增產的步伐。(彭博)
〔財經頻道/綜合報導〕韓媒報導,引用業內人士消息表示,南韓三星電子(SAMSUNG ELECTRINICS)因有鑒於全球半導體市況不佳,為避免明年記憶體供過於求,導致價格滑落,該公司擬放慢明年記憶體增產的步調。
根據《Korea Herald》報導,由於市場普遍預測記憶體需求將會減少,因此三星在上週舉行策略會議,就明年記憶體預期供過於求情況討論如何因應,會議中有討論擬調整DRAM與NAND快閃記憶體增產的步調。
據報導指出,三星擬將在明年削減DRAM位元成長率(Bit growth) 至2成以下;而NAND快閃記憶體則是調降至3成以下。
三星股價今(26)日,收在38350韓圜,跌幅1.16%。
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