APP

自由時報APP
看新聞又抽獎

立即下載

生活新聞

台灣之光在瑞典! 陳志泰團隊研發出革命性半導體材料

2019-07-06 20:40
字體
Line
FB
來自台灣的陳志泰為半導體材料帶來革命性突破,以獨特的磊晶技術生產氮化鎵成長於碳化矽基板這項材料,缺陷比傳統方式減少100到1000倍。(SweGaN AB提供)

來自台灣的陳志泰為半導體材料帶來革命性突破,以獨特的磊晶技術生產氮化鎵成長於碳化矽基板這項材料,缺陷比傳統方式減少100到1000倍。(SweGaN AB提供)

〔記者簡惠茹/台北報導〕來自台灣的陳志泰博士為全球半導體材料帶來革命性突破,研究團隊以獨特的磊晶技術,製造氮化鎵成長於碳化矽基板這項材料,缺陷比傳統方式減少100到1000倍、總磊晶層厚度薄20倍,可承受電壓可達1500伏特以上,研究除了登上國際期刊Applied Physics Letters,他與瑞典教授共同創辦的半導體材料公司SweGaN AB,今年被瑞典媒體評選為瑞典33大最具潛力新創公司。

傳統矽晶半導體因為發展侷限面臨瓶頸,學界和產業界不斷尋找下一代的半導體材料替代,陳志泰表示,團隊突破傳統磊晶技術,尋找到溫度、壓力和化合物比例的特殊最佳配方,讓全世界看到新的可能性,將能用來製作高頻高功率電子元件,主要應用於太空與國防等領域,更是未來電動車和5G網路基地台的關鍵性材料。

陳志泰指出,傳統磊晶技術因為異質磊晶結構的晶格不匹配,不同分子間大小差異造成錯位,而使材料產生缺陷,傳統方式試圖加入了很多緩衝層來減少缺陷,因此厚度通常在2000奈米到6000奈米,但是厚度越厚,電阻越大,產生的熱就會越多,造成散熱較差,而且因為結構缺陷密度高,電壓只能承載到650伏特。

陳志泰團隊克服許多限制找到新的磊晶成長方式,他指出,團隊研發出來的方法,可以有效抑制結構缺陷發生,缺陷比傳統的少100到1000倍,幾乎完美的緩衝層,讓材料厚度只有不到300奈米,比傳統方式薄20倍,承載電壓可以達到1500伏特以上。

陳志泰說,在碳化矽和氮化鎵的合成材料中,他們是全球第一個能把材料做到這麼薄,同時結合碳化矽和氮化鎵的優勢,氮化鎵具有很高的電子遷移率,碳化矽則有很好的臨界電場且散熱好,合成的材料同時能承受高電流與高電壓,電壓可以涵蓋目前任何應用,電流比第二代半導體砷化鎵高5倍以上。

研究磊晶技術已經長達15年的陳志泰說,他原本在台灣的台大凝態中心與中央研究院原子與分子研究所,由陳貴賢博士與林麗瓊博士領導的實驗室進行磊晶技術研究,因為看中瑞典應用面的研究,所以2009年到瑞典林雪平大學 (Linköping University) 深造,5年前與教授Erik Janzén和Olof Kordina一同創辦公司SweGaN AB。未來希望跟台灣會有更密切的連結,一同與台灣半導體產業再往前突破。

論文連結

不用抽 不用搶 現在用APP看新聞 保證天天中獎  點我下載APP  按我看活動辦法

SweGaN AB今年被瑞典媒體評選為瑞典33大最具潛力新創公司。(SweGaN AB提供)

SweGaN AB今年被瑞典媒體評選為瑞典33大最具潛力新創公司。(SweGaN AB提供)

相關新聞

pv
看更多!請加入自由時報粉絲團

熱門新聞

生活 ‧ 本日最多瀏覽

香港《反送中》 | 事件

... more

美中貿易戰 | 事件

... more

謠言終結站 | 事件

... more

    2020總統立委選舉

  • 圖
關閉
圖